据惠山高新区发布消息,11月21日,中科院长春光机所高性能光芯片项目签约仪式在惠山高新区(洛社镇)举行,院士团队“牵手”高新区(洛社镇),将针对量子精密测量对高性能激光芯片的重大应用需求,实现三种量子精密测量光芯片全自主研发和生产,支撑我国先进量子精密测量技术长足发展。消息称,此次签约的中科院长春光机所高性能光芯片项目,是惠山高新区与大院大所合作的“重头戏”。中科院长春光机所是新中国在光学领域建立
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据惠山高新区发布消息,11月21日,中科院长春光机所高性能光芯片项目签约仪式在惠山高新区(洛社镇)举行,院士团队“牵手”高新区(洛社镇),将针对量子精密测量对高性能激光芯片的重大应用需求,实现三种量子精密测量光芯片全自主研发和生产,支撑我国先进量子精密测量技术长足发展。消息称,此次签约的中科院长春光机所高性能光芯片项目,是惠山高新区与大院大所合作的“重头戏”。中科院长春光机所是新中国在光学领域建立
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11月22日,据外媒消息,英特尔合同芯片生产部门的负责人RandhirThakur已经辞职,该报道得到了英特尔的确认。据悉,Thakur将继续领导英特尔代工服务到2023年第一季度,以确保新领导人的顺利过渡。英特尔首席执行官PatGelsinger向公司员工发送了一封电子邮件,感谢RandhirThakur在建立英特尔芯片代工服务(IFS,IntelFoundryServices)方面的投入和对公
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11月15日,美光宣布LPDDR5X移动存储器已获得高通最新旗舰智能手机移动平台Snapdragon®8Gen2验证,并已集成到Snapdragon8Gen2参考设计中。美光最新LPDDR5X专为高端和旗舰智能手机打造,峰值速度8.533Gbps,比上一代LPDDR5提高33%。美光LPDDR5X已开始量产,并在全球范围内出货。
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集成电路是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。当前,百年变局和世纪疫情交织,全球集成电路产业进入重大调整变革期,维护好、保障好产业链供应链安全稳定,已成为共同挑战和重大课题。为此,2022世界集成电路大会提出以下五点倡议。一、坚持创新发展,共迎风险挑战。集成电路产业正步入“后摩尔时代”,我们要致力于增强全产业链自主创新能力,加强原创性引领性科技攻
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当地时间11月10日,美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器,该存储器已针对新的AMDEPYC™9004系列处理器进行了验证。随着现代服务器将更多处理内核装入CPU,每个CPU内核的存储器带宽一直在下降。与前几代相比,美光DDR5提供了更高的带宽,从而缓解了这一瓶颈,提高了可靠性和可扩展性。据介绍,美光将配备其DDR5的单个第4代AMDEPYC处理器系统的STREAM基准性能与3200MT/秒
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据南京广播电视台11月8日报道,南京华天存储及射频类集成电路封测产业化项目已经部分竣工。浦口经济开发区重点项目推进办公室工作人员吴磊透露称,这个项目整体竣工之后,预计将形成14亿的产值。报道显示,南京华天存储及射频类集成电路封测产业化项目总投资15亿元,涉及购置设备约1780台/套,新建1条存储及射频类集成电路封测生产线,计划2024年完工。随着它的落户,有望带动当地快速集聚280多家上下游产业,
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据北京日报11月8日报道,日前,位于中关村顺义园的第三代半导体产业园正式投入运行。该产业园占地7.4万平方米,将以新能源汽车、5G通讯、能源互联网等重大应用需求为牵引,积极突破核心技术,实现第三代半导体技术与产业自主可控,形成第三代半导体产业集聚区。该园区运营负责人朱毅峰表示,1、2、3号楼主要定位芯片设计、工艺设计、孵化服务等办公型企业以及食堂、会议展览等园区配套服务;4、5、6号楼主要定位工艺
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据日经中文网报道,日本东京工业大学及AOIElectronics等研究团队开发出了连接功能不同的多个半导体芯片、使其像一个芯片一样工作的关键技术。该技术可以提高芯片的集成密度和电气特性,改善成品率。报道指出,过去,芯粒之间的连接大多使用被称为“中介层(Interposer)”的中间基板。中介层的主流是硅基板,但这种基板在电气特性、定位精度、成本等方面存在问题。而此次的技术优势在于能以最小限度的元素
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据成都高新区消息,11月6日,时值第五届中国国际进口博览会举办期间,成都高新区在上海举办“共话芯路新芯向蓉“成都集成电路产业挑战与机遇专家恳谈会,邀请在沪知名集成电路企业代表商议集成电路产业未来发展趋势。近年来,成都围绕集成电路、新型显示等14个先进制造业实施产业“建圈强链”行动,电子信息产业率先突破万亿。2021年10月,中共中央、国务院印发《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》。同时,又有一带一路
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相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么。1.MOS的三个极怎么判定?MOS管符号上的三个脚,辨认要抓住关键地方:G极,不用说比较好认。S极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是。D极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。2.是N沟道还是P沟道?三个脚的极性判断完后,接下就该判断是P沟道还是N沟道了:当然也可以先判断沟道类型,再判断三个脚极
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如下图:如果我们把运放芯片当作理想的,那么放大电路的增益就是两个电阻的比值,如果要让增益等于2,那么R1和R2分别是2K,1K能达到目的,20K,10K也能达到目的,200K,100K也能达到目的,2Ω,1Ω看着也能达到目的,那么这些阻值都是可以的吗?电阻大小影响什么?这个问题以前也没有深究过,虽然大抵知道一些影响因素,估计也是一些片面的因素,正好借这个机会专门查一查下面就是查到的一些内容。电阻的
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目前血氧仪暴涨的需求,主要是政策调整后,人群感冒发烧增多,确诊增多,有基础疾病的老年人等群体暴露其中更加危险,官方鼓励血氧仪作为监控预防重症的设备。加上血氧知识的普及,媒体的宣传,如多位专家建议家庭、个人准备指夹式血氧仪等设备,及时掌握自己和家人的身体情况。因此对于有家有老人、小孩,或者本身抵抗力差的人群,作为日常监测还是比较实用,一旦出现低血氧可以及时就医。而对于没有严重基础疾病的普通人群来说,
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工程师通过仪器能够查看和了解不同电子、机械部分或整个系统内的情况。这些设备通过获取、分析和显示数据,让工程师可以监视和控制机械并进行所有必要的更正。在测试或原型制作过程中,仪器可帮助改进电路,让设计更新颖、更出色。由于需要具有丰富功能和高可用性的高性能仪器来满足各种应用面临的设计挑战,我们将会介绍这些仪器为满足客户需求而需要具备的特性,然后研究仪表放大器这个关键设计组件的重要属性。仪器不同,要求不
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OPAMP运算放大器芯片是具备差分输入和单端输入的极低增益放大器。常用作低精度的模拟电路之中,因此必须对其性能展开精确测量。但在开环测定之中,开环电压可低达107或更低,并且拾音器、杂散电流或Seebeck(热电偶)效应会在放大器输入端造成非常大的电压,因此误差是难以避免的。测量过程可大大简化,通过采用一个伺服回路,被迫放大器的输入为零,容许被测放大器测定自己的误差。图1表明了一个多功能的电路,透
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一、局部放电现象局部放电(partialdischarge,简称PD)现象,通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电,某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时,该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短(路桥)接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对绝缘介质都会有一些影响,轻微的局部放电对电力设备绝缘的影响较小,绝缘强度的下降较慢;而强烈的局部放电
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IGBT混搭SiCSBD续流二极管,在硬换流的场合,至少有两个主要优势:●没有Si二极管的反向恢复损耗Erec●降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此,在中小功率光伏与UPS等领域,IGBT混搭SiCSBD续流二极管具有较高性价比。此次,我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型,同样在Simetirx的仿真环境里,测试不同类型的续流二极管,对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无
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当现成的运算放大器(opamp)不能提供特定应用所需的信号摆幅范围时,工程师面临两种选择:使用高压运算放大器或设计分立解决方案,不过这两种选择的成本可能都很高。对许多应用来说,第三种选择——自举——可能是比较廉价的替代方案。除了动态性能要求极为苛刻的应用,自举电源电路的设计是相当简单的。自举简介常规运算放大器要求其输入电压在其电源轨范围内。如果输入信号可能超过电源轨,可以通过电阻衰减过大输入,使这
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十二导联同步心电图机,广泛应用于医院、疾病防控中心等卫生医疗保健机构,十二导联同步心电图机的厂家很多,应用广泛,各种产品之间的差别也比较大。心电图检查技术在心血管病的医疗防治和科研中具有独特的作用,目前在医疗中广泛使用的是单导联或十二导联非同步心电图机,在少数较大医院中使用的十二导联同步检查心电图机均为国外进口或国外产品在国内组装,目前尚无国产的十二导联同步检查的心电图机。根据目前的微电子、单片机
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据日经中文网近日消息,日本东洋炭素(ToyoTanso)将增产用于半导体制造设备的碳纤维零部件,向位于香川县的工厂投入约70亿日元,在2025年之前把产能提高至现在的1.5倍。东洋炭素认为,在5G基站和纯电动汽车(EV)等领域,半导体需求在中长期有望增长。其提出的目标是,使半导体相关零部件营业收入到2026财年增至2021财年近2倍的逾200亿日元。东洋炭素执行董事喜久秀树表示,半导体需求具有轻微
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11月2日,深圳市重大项目、深圳市重点推广园区、坪山区半导体产业园——多彩硅谷迎来重大进展,该产业园主体结构已全部封顶,预计建成后产值将超过200亿元,贡献税收超过10亿元。资料显示,多彩硅谷为深圳市多彩实业集团旗下产业园,总投资超过30亿元,涵盖“孵化器-加速器-规上企业集群发展〞的全周期产业服务,致力于打造以重点院校为依托、以半导体产业与医工交叉产业协同创新为核心的产业生态园区。据悉,该园区与
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10月31日,智慧城市与文旅夜游灯光投资运营商深圳市名家汇科技股份有限公司(以下简称“名家汇”)发布公告称,为推进公司进军半导体行业的发展战略,为公司获得半导体产业等相关领域的优质企业并购机会,降低公司收购半导体行业优质企业的并购整合风险,公司拟自筹资金不超过1亿元与建信天然投资管理有限公司(以下简称“建信天然”)及其他社会投资方共同合作设立半导体产业并购基金,并授权公司管理层具体办理包括但不限于
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据“重庆吉芯科技有限公司”消息,10月10日,重庆吉芯科技有限公司(以下简称“吉芯科技”)与重庆共享工业投资有限公司在沙坪坝区机关大楼会议室,举行吉芯科技高性能数据转换器集成电路研发及产业化基地扩能项目签约仪式。消息指出,此次基地扩能项目签约的落地,意味着吉芯科技的产业化升级迈出了新步伐,通过基地扩能建设,将会形成国内最大的高性能数据转换器测试生产平台,满足国家高端核心芯片的自主可控。吉芯科技表示
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据中微创芯科技消息,青岛中微创芯电子有限公司(以下简称“青岛中微创芯”)负责的高端智能功率模块(IPM)制造及功率芯片研发项目于9月26日正式动土施工。消息心事,本项目位于青岛中德生态园和自贸区西侧,团结路以南和德国倍世公司以东区域,占地面积28667平方米,约43亩,地理位置优越交通便利,四通八达。本项目分五年三期建设,本次动土施工的为项目一期。一期总建筑面积17687.41平方米,主要完成生产
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利用射频识别技术(RadioFrequncyIdentification)开发的非接触式IC识别器,与传统的接触式IC卡、磁卡相比较,在系统寿命、防监听、防解密等性能上具有很大的优势。本文介绍利用MCUP89LPC932、MFRC632、Mifare卡等构建的非接触式专用IC读写器,充分利用了MFRC632的射频识别读写器芯片的功能。所使用的器件大部分都是PHILPS公司的器件,具有典型性和一定的
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输出部分损耗1、脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大适当设计共模电感,包括线径和匝数2、放电电阻上的损耗在符合安规的前提下加大放电电阻的组织3、热敏电阻上的损耗在符合其他指标的前提下减小热敏电阻的阻值启动损耗普通的启动方法,开关电源启动后启动电阻回路未切断,此损耗持续存在。改善方法:恒流启动方式启动,启动完成后关闭启动电路降低损耗。与开关电源工作相关的损耗钳位电路损耗有放电电阻存在,mos开关管
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随着因特网的普及和发展,上网的用户数正不断增加,各种各样的上网手段层出不穷。但对于广大网民来说,采用MODEM进行数据传输却是一种最常用的接入方式。面对这样一个巨大市场,世界各大芯片制造商相继推出了自己的MODEM芯片组,并不断在简化硬件设计和提高MODEM的传输速率上下功夫。ROCKWELL公司(由CONEXANT公司生产)推出了一款全新的MODEM芯片组--SmartSCM/56S,它能支持新
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1引言PCI,外设组件互连标准(PeripheralComponentInterconnection)是一种由Intel公司1991年推出的用于定义局部总线的标准,自规范推出,得到网络通信,数据采集处理,工业控制等多行业的广泛应用,并出现PCI-E。CPCI,PXI等多个扩展改良版本。PCI总线支持其即插即用,中断共享,高速数据传输等功能,有着广阔的市场前景。本文介绍了目前使用美国PLX公司生产的
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A、封装内涵封装——Package,使用要求的材料,将设计电路按照特定的输入输出端进行安装、连接、固定、灌封、标识的工艺技术。B、封装作用a)保护:保障电路工作环境与外界隔离,具有防潮、防尘;b)支撑:引出端及壳体在组装和焊接过程保持距离和缓冲应力作用;c)散热:电路工作时的热量施放;d)电绝缘:保障不与其他元件或电路单元的电气干涉;e)过渡:电路物理尺寸的转换;a)晶圆裸芯片b)集成电路芯片c)
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由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/MetalGate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anmLPDDR5XDRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战:需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据
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